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APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Numéro d'article
APTM100VDA35T3G
Fabricant/Marque
Série
POWER MOS 7®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SP3
Puissance - Max
390W
Package d'appareil du fournisseur
SP3
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
22A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
186nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
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Coordonnées
Mots-clés de APTM100VDA35T3G
APTM100VDA35T3G Composants électroniques
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