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APTM100UM45FAG

APTM100UM45FAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Numéro d'article
APTM100UM45FAG
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SP6
Package d'appareil du fournisseur
SP6
Dissipation de puissance (maximum)
5000W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
215A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 30mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1602nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
42700pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de APTM100UM45FAG
APTM100UM45FAG Composants électroniques
APTM100UM45FAG Ventes
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