Acheter Microsemi Corporation APTM100UM45DAG MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

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APTM100UM45DAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Numéro d'article

APTM100UM45DAG

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

POWER MOS 7®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SP6

Package d'appareil du fournisseur

SP6

Dissipation de puissance (maximum)

5000W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

215A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 107.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 30mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1602nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

42700pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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