Acheter Microsemi Corporation APT9F100S MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

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APT9F100S

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Numéro d'article

APT9F100S

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

POWER MOS 8™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Package d'appareil du fournisseur

D3Pak

Dissipation de puissance (maximum)

337W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2606pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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