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APT70SM70S

APT70SM70S

POWER MOSFET - SIC
Numéro d'article
APT70SM70S
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D3Pak
Dissipation de puissance (maximum)
220W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
700V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
65A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
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Coordonnées
Mots-clés de APT70SM70S
APT70SM70S Composants électroniques
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