Acheter Microsemi Corporation APT70SM70B POWER MOSFET - SIC

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APT70SM70B

POWER MOSFET - SIC

Numéro d'article

APT70SM70B

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Bulk

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247 [B]

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

700V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

65A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 32.5A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

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