Acheter Microsemi Corporation APT58M50JU2 MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

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APT58M50JU2

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Numéro d'article

APT58M50JU2

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

POWER MOS 8™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur

SOT-227

Dissipation de puissance (maximum)

543W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

58A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 42A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

10800pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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