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APT50M80B2VRG

APT50M80B2VRG

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Numéro d'article
APT50M80B2VRG
Fabricant/Marque
Série
POWER MOS V®
Statut de la pièce
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3 Variant
Package d'appareil du fournisseur
T-MAX™ [B2]
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
58A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
423nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8797pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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Coordonnées
Mots-clés de APT50M80B2VRG
APT50M80B2VRG Composants électroniques
APT50M80B2VRG Ventes
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APT50M80B2VRG Distributeur
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