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APT5012JN

APT5012JN

MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
Numéro d'article
APT5012JN
Fabricant/Marque
Série
POWER MOS IV®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tray
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur
ISOTOP®
Dissipation de puissance (maximum)
520W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
43A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
370nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de APT5012JN
APT5012JN Composants électroniques
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