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APT40SM120B

APT40SM120B

MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
Numéro d'article
APT40SM120B
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247
Dissipation de puissance (maximum)
273W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
41A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 1mA (Typ)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2560pF @ 1000V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
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Coordonnées
Mots-clés de APT40SM120B
APT40SM120B Composants électroniques
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