Acheter Microsemi Corporation APT30M60J MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

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APT30M60J

MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Numéro d'article

APT30M60J

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

POWER MOS 8™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur

ISOTOP®

Dissipation de puissance (maximum)

355W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

31A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 21A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5890pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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