Acheter Microsemi Corporation APT19F100J MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

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APT19F100J

MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Numéro d'article

APT19F100J

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

POWER MOS 8™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur

ISOTOP®

Dissipation de puissance (maximum)

460W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8500pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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