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SI1012-TP

SI1012-TP

N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG
Numéro d'article
SI1012-TP
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-523
Package d'appareil du fournisseur
SOT-523
Dissipation de puissance (maximum)
150mW (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
500mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 500mA, 2.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
750nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 16V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Vgs (Max)
±12V
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Mots-clés de SI1012-TP
SI1012-TP Composants électroniques
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