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DS1230AB-200IND
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
Numéro d'article
DS1230AB-200IND
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Package d'appareil du fournisseur
28-EDIP
Tension - Alimentation
4.75 V ~ 5.25 V
Type de mémoire
Non-Volatile
Taille mémoire
256Kb (32K x 8)
Temps d'accès
200ns
Fréquence d'horloge
-
Format de mémoire
NVSRAM
Temps de cycle d'écriture - Word, Page
200ns
Interface mémoire
Parallel
Citation requise
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