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IXTP8N70X2

IXTP8N70X2

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220
Numéro d'article
IXTP8N70X2
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220-3
Dissipation de puissance (maximum)
150W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
700V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IXTP8N70X2
IXTP8N70X2 Composants électroniques
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