L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXTP80N10T
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Numéro d'article
IXTP80N10T
Fabricant/Marque
Série
TrenchMV™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
230W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
80A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3040pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 13570 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de IXTP80N10T
IXTP80N10T Composants électroniques
IXTP80N10T Ventes
IXTP80N10T Fournisseur
IXTP80N10T Distributeur
IXTP80N10T Tableau de données
IXTP80N10T Photos
IXTP80N10T Prix
IXTP80N10T Offre
IXTP80N10T Prix le plus bas
IXTP80N10T Recherche
IXTP80N10T Achat
IXTP80N10T Chip