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IXTM67N10
POWER MOSFET TO-3
Numéro d'article
IXTM67N10
Fabricant/Marque
Série
GigaMOS™
Statut de la pièce
Last Time Buy
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-204AE
Package d'appareil du fournisseur
TO-204AE
Dissipation de puissance (maximum)
300W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
67A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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