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IXTA180N085T7

IXTA180N085T7

MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
Numéro d'article
IXTA180N085T7
Fabricant/Marque
Série
TrenchMV™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263-7 (IXTA..7)
Dissipation de puissance (maximum)
430W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
85V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
180A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IXTA180N085T7
IXTA180N085T7 Composants électroniques
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