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IXTA160N10T7

MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

Numéro d'article

IXTA160N10T7

Fabricant/Marque

IXYS

Série

TrenchMV™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Package d'appareil du fournisseur

TO-263-7 (IXTA..7)

Dissipation de puissance (maximum)

430W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

160A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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