L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXFT80N08
MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
Numéro d'article
IXFT80N08
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-268
Dissipation de puissance (maximum)
300W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
80V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
80A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 8437 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de IXFT80N08
IXFT80N08 Composants électroniques
IXFT80N08 Ventes
IXFT80N08 Fournisseur
IXFT80N08 Distributeur
IXFT80N08 Tableau de données
IXFT80N08 Photos
IXFT80N08 Prix
IXFT80N08 Offre
IXFT80N08 Prix le plus bas
IXFT80N08 Recherche
IXFT80N08 Achat
IXFT80N08 Chip