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IXFP7N60P3

IXFP7N60P3

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Numéro d'article
IXFP7N60P3
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
180W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
7A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
705pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de IXFP7N60P3
IXFP7N60P3 Composants électroniques
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IXFP7N60P3 Distributeur
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