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IXFN50N120SIC

MOSFET N-CH

Numéro d'article

IXFN50N120SIC

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur

SOT-227B

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

47A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 2mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

+20V, -5V

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