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IXFN40N110P

IXFN40N110P

MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Numéro d'article
IXFN40N110P
Fabricant/Marque
Série
Polar™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur
SOT-227B
Dissipation de puissance (maximum)
890W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
34A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
310nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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En stock 28603 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IXFN40N110P
IXFN40N110P Composants électroniques
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