L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXFN120N65X2
MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
Numéro d'article
IXFN120N65X2
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur
SOT-227B
Dissipation de puissance (maximum)
890W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
108A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 54A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
15500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 7620 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de IXFN120N65X2
IXFN120N65X2 Composants électroniques
IXFN120N65X2 Ventes
IXFN120N65X2 Fournisseur
IXFN120N65X2 Distributeur
IXFN120N65X2 Tableau de données
IXFN120N65X2 Photos
IXFN120N65X2 Prix
IXFN120N65X2 Offre
IXFN120N65X2 Prix le plus bas
IXFN120N65X2 Recherche
IXFN120N65X2 Achat
IXFN120N65X2 Chip