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IXFK360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264

Numéro d'article

IXFK360N10T

Fabricant/Marque

IXYS

Série

GigaMOS™ HiPerFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-264-3, TO-264AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-264AA (IXFK)

Dissipation de puissance (maximum)

1250W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

360A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

525nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

33000pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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