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IXFK210N17T

MOSFET N-CH 170V 210A TO-264

Numéro d'article

IXFK210N17T

Fabricant/Marque

IXYS

Série

GigaMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-264-3, TO-264AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-264AA (IXFK)

Dissipation de puissance (maximum)

1150W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

170V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

210A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

285nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

18800pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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