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IXFH22N55

IXFH22N55

MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
Numéro d'article
IXFH22N55
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Dissipation de puissance (maximum)
300W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
550V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
22A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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En stock 32016 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IXFH22N55
IXFH22N55 Composants électroniques
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