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IXDN602SI
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Numéro d'article
IXDN602SI
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Type d'entrée
Non-Inverting
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
8-SOIC-EP
Tension - Alimentation
4.5 V ~ 35 V
Type de canal
Independent
Configuration pilotée
Low-Side
Nombre de conducteurs
2
Type de porte
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 3V
Courant - Sortie de crête (source, puits)
2A, 2A
Tension côté élevé - Max (Bootstrap)
-
Temps de montée/descente (type)
7.5ns, 6.5ns
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