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SPU08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
Numéro d'article
SPU08P06P
Fabricant/Marque
Série
SIPMOS®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO251-3
Dissipation de puissance (maximum)
42W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8.83A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
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