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SPB16N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 16A TO-263

Numéro d'article

SPB16N50C3ATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO263-3-2

Dissipation de puissance (maximum)

160W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

560V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.9V @ 675µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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