Acheter Infineon Technologies IRLZ24NS MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRLZ24NS

MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

Numéro d'article

IRLZ24NS

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±16V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 9220 PCS

Coordonnées

Produits connexes

IRLZ14

MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB