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IRLU8259PBF

MOSFET N-CH 25V 57A IPAK

Numéro d'article

IRLU8259PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

I-PAK

Dissipation de puissance (maximum)

48W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

57A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.7 mOhm @ 21A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 13V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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