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IRLR8103

MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK

Numéro d'article

IRLR8103

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

D-Pak

Dissipation de puissance (maximum)

89W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

89A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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