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IRLR3636PBF

MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Numéro d'article

IRLR3636PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

D-Pak

Dissipation de puissance (maximum)

143W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3779pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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