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IRLMS2002

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6

Numéro d'article

IRLMS2002

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

Micro6™(SOT23-6)

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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