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IRLML6302TR

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

Numéro d'article

IRLML6302TR

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

Micro3™/SOT-23

Dissipation de puissance (maximum)

540mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

780mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 610mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.45V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

97pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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