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IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
Numéro d'article
IRLML0060TRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
Micro3™/SOT-23
Dissipation de puissance (maximum)
1.25W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.7A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
92 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
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Coordonnées
Mots-clés de IRLML0060TRPBF
IRLML0060TRPBF Composants électroniques
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