Acheter Infineon Technologies IRLL3303PBF MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRLL3303PBF

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

Numéro d'article

IRLL3303PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 19239 PCS

Coordonnées