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IRLL024ZTRPBF

IRLL024ZTRPBF

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Numéro d'article
IRLL024ZTRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-223
Dissipation de puissance (maximum)
1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
55V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
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Coordonnées
Mots-clés de IRLL024ZTRPBF
IRLL024ZTRPBF Composants électroniques
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