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IRLL024NTRPBF

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

Numéro d'article

IRLL024NTRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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