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IRLHS6276TR2PBF

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

Numéro d'article

IRLHS6276TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-PowerVDFN

Puissance - Max

1.5W

Package d'appareil du fournisseur

6-PQFN Dual (2x2)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.5A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V

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