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IRLBD59N04ETRLP

MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Numéro d'article

IRLBD59N04ETRLP

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

Package d'appareil du fournisseur

TO-263-5

Dissipation de puissance (maximum)

130W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

59A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2190pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±10V

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