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IRL6372TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

Numéro d'article

IRL6372TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8.1A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V

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