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IRL6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC

Numéro d'article

IRL6342TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.9A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1025pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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