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IRL5602L
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
Numéro d'article
IRL5602L
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-262
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
24A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1460pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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