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IRL3502PBF

MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

Numéro d'article

IRL3502PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

140W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

110A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 64A, 7V

Vgs(e) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Vgs (Max)

±10V

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