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IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 6PQFN

Numéro d'article

IRL100HS121

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-VDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-PQFN (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

11.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 10µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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