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IRFU9N20D

MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

Numéro d'article

IRFU9N20D

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

IPAK (TO-251)

Dissipation de puissance (maximum)

86W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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