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IRFU120ZPBF

MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK

Numéro d'article

IRFU120ZPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

IPAK (TO-251)

Dissipation de puissance (maximum)

35W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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