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IRFSL7762PBF

IRFSL7762PBF

MOSFET N-CH 75V 85A TO262
Numéro d'article
IRFSL7762PBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-262
Dissipation de puissance (maximum)
140W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
75V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
85A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.7V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4440pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IRFSL7762PBF
IRFSL7762PBF Composants électroniques
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